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DMN3009SSS-13

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1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9776
39.776
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.8758
1875.8
2,500
¥1.5933
3983.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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