RN1119MFV,L3F详细参数_参考价格_RN1119MFV,L3F PDF资料_Toshiba

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：22,474(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1119MFV
封装	Cut Tape
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
商标	Toshiba
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
单位重量	1.500 mg

商品其它信息

优势价格，RN1119MFV,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSS806NH6327XT	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3	1:¥2.9154 10:¥2.0792 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.62263	参考库存:19083
IGW30N60T	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A	1:¥28.815 10:¥24.4306 100:¥21.2101 250:¥20.1366 500:¥18.0574	参考库存:4635
PSMN3R9-25MLC,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33	1:¥4.5313 10:¥3.8194 100:¥2.4634 1,000:¥1.9775 1,500:¥1.6724	参考库存:5662
DDTD123YC-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 10K	1:¥2.2261 10:¥1.5255 100:¥0.63732 1,000:¥0.43844 3,000:¥0.33787	参考库存:46899
FZT493ATA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Med PWR 1A Ic 2A 150mA	1:¥4.5313 10:¥3.8081 100:¥2.4634 1,000:¥1.9662	参考库存:8716