NSBC115TPDP6T5G详细参数_参考价格_NSBC115TPDP6T5G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	100 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-963-6
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBC115TPDP6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.37 mm
长度	1 mm
宽度	0.8 mm
商标	ON Semiconductor
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD17308Q3T	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N CH MOSFET	1:¥6.3054 10:¥5.3788 100:¥4.1471 250:¥4.1471 500:¥3.6612	参考库存:14484
BCW66KHE6327HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45.0 V 100 mA	1:¥1.695 10:¥1.1639 100:¥0.48364 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.26103	参考库存:671876
STP105N3LL	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI	1:¥12.3735 10:¥10.5994 100:¥8.1473 500:¥7.1642	参考库存:6258
BCV 62B E6433	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Double TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.0905 100:¥0.9605 1,000:¥0.73789 10,000:¥0.5763 20,000:查看	参考库存:46780
FF600R12ME4P	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥1,865.7543 5:¥1,820.882 10:¥1,775.6142 25:¥1,750.7203	参考库存:3047