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晶体管
NST856BF3T5G参考图片

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NST856BF3T5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥1.9436
19.436
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.63732
637.32
8,000
¥0.43053
3444.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-1123-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
65 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NST856BF3T5G
直流电流增益 hFE 最大值
220 at 2 mA, 5 V
高度
0.37 mm
长度
0.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
220 at 2 mA, 5 V
Pd-功率耗散
347 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NST856BF3T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥11.526
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:32538
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:13405
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.07576
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.61472
参考库存:10817
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
3,000:¥4.3844
参考库存:40599
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5368
参考库存:28931
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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