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晶体管
UJ3C065080T3S参考图片

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UJ3C065080T3S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • MOSFET 650V/80mOhm SiC CASCODE G3
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库存:5,877(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥87.5976
87.5976
10
¥83.4505
834.505
25
¥77.2242
1930.605
50
¥73.0771
3653.855
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UJ3C
商标
UnitedSiC
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,UJ3C065080T3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
1:¥118.0285
10:¥107.1127
25:¥99.2818
50:¥93.5866
参考库存:5711
晶体管
MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
3,000:¥2.0001
参考库存:317628
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥81.0662
10:¥72.9189
25:¥66.4666
50:¥61.9353
参考库存:3785
晶体管
MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
500:¥13.5261
800:¥13.5261
参考库存:27477
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2658
5,000:查看
参考库存:183434
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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