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晶体管
AC857BSQ-7参考图片

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AC857BSQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
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1
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2.2261
10
¥1.5142
15.142
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43053
430.53
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 400 mV
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
475
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，AC857BSQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD212904SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥26.3516
100:¥24.6679
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:40506
0405SC-100M
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥3,613.5592
参考库存:40511
STW62N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
1:¥103.508
10:¥95.2025
25:¥91.2136
50:¥86.2868
参考库存:10051
2N2812
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥730.9066
参考库存:40518
JAN2N5339U3
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,137.6162
参考库存:40523

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    50万现货SKU

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