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晶体管
IPP60R190E6参考图片

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IPP60R190E6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6
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数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥18.0574
180.574
100
¥15.594
1559.4
250
¥14.8256
3706.4
500
¥13.2888
6644.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPP60R190E6XKSA1 IPP6R19E6XK SP000797378
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP60R190E6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:35497

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