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晶体管
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FF650R17IE4

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数量单价合计
1
¥3,630.3849
3630.3849
5
¥3,411.5378
17057.689
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
930 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
4.15 kW
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF650R17IE4BOSA1 SP000614664
单位重量
849 g
商品其它信息
优势价格,FF650R17IE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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    50万现货SKU

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