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晶体管
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BSC0921NDI

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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥7.0173
3508.65
5,000
¥4.9155
24577.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms, 1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.9 nC, 33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S, 70 S
下降时间
2.4 ns, 3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns, 5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns, 5 ns
零件号别名
BSC0921NDIATMA1 BSC921NDIXT SP000934748
单位重量
101.600 mg
商品其它信息
优势价格,BSC0921NDI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥1.1865
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  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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