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晶体管
SI3473DDV-T1-GE3参考图片

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SI3473DDV-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
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库存:47,682(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.8363
28.363
100
¥1.921
192.1
500
¥1.5368
768.4
3,000
¥1.05994
3179.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
38.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
Si3473DDV
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
优势价格,SI3473DDV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:55524
晶体管
MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
1:¥6.1472
10:¥5.0511
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.2035
参考库存:26476
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥41.4145
10:¥35.1882
100:¥30.51
250:¥28.9732
参考库存:8408
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 450A 650V
1:¥1,086.3594
5:¥1,065.0024
10:¥1,015.3615
25:¥994.0045
参考库存:3815
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥381.9739
5:¥369.1371
10:¥357.1478
25:¥330.2538
参考库存:4127
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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