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晶体管
RGTV60TK65GVC11参考图片

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RGTV60TK65GVC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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库存:4,326(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1884
39.1884
10
¥33.3463
333.463
100
¥28.8941
2889.41
250
¥27.4364
6859.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
33 A
Pd-功率耗散
76 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
33 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGTV60TK65GVC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:19903
晶体管
IGBT 模块 1700V 600A F/DIODE
1:¥1,474.6387
5:¥1,439.1341
10:¥1,403.4035
25:¥1,383.7302
参考库存:7445
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.5316
10:¥8.7575
25:¥7.2998
100:¥6.6105
2,000:¥4.2601
参考库存:29910
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 80V
1:¥2.7685
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:29915
晶体管
MOSFET
1:¥370.5948
5:¥360.922
10:¥346.5484
25:¥334.4122
参考库存:7667
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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