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晶体管
IPP052N06L3 G参考图片

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IPP052N06L3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:12,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
58 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPP052N06L3GXKSA1 IPP52N6L3GXK SP000680802
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP052N06L3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
3,000:¥3.5708
参考库存:16648
晶体管
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
1:¥7.91
10:¥6.7687
100:¥5.198
500:¥4.5991
参考库存:29690
晶体管
MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
参考库存:14847
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A
1:¥29.9676
10:¥25.5154
100:¥22.0576
250:¥20.9728
参考库存:18389
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 404A
1:¥1,325.0267
5:¥1,293.1381
10:¥1,261.0235
参考库存:2176
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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