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晶体管
IRFB4110GPBF参考图片

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IRFB4110GPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
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数量单价合计
1
¥28.4308
28.4308
10
¥24.2046
242.046
100
¥20.9728
2097.28
250
¥19.8993
4974.825
500
¥17.8314
8915.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
Pd-功率耗散
370 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001556050
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB4110GPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:3672
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥799.6784
5:¥784.9997
10:¥749.6533
25:¥724.6803
参考库存:2939
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:5481
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:26158
晶体管
MOSFET TO-leadless MV7 80V
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.4306
250:¥23.1311
2,000:¥16.5997
4,000:查看
参考库存:13080
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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