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晶体管
ZXMP10A13FQTA参考图片

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ZXMP10A13FQTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V P-Ch Enh FET 20Vgs -0.5A ID 625mW
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数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9154
291.54
1,000
¥2.3391
2339.1
3,000
¥2.3391
7017.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
700 mA
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
806 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMP10A
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.2 S
下降时间
3.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.9 ns
典型接通延迟时间
1.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMP10A13FQTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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JANTXV2N3499
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