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晶体管
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2SD1223(TE16L1,NQ)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
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1
¥38.7251
38.7251
10
¥34.578
345.78
100
¥28.2726
2827.26
200
¥25.5154
5103.08
500
¥22.9729
11486.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD1223
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000
Pd-功率耗散
15 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SD1223(TE16L1,NQ)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:35765

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