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晶体管

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FF100R12KS4

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库存:3,906(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥678.339
678.339
5
¥665.8977
3329.4885
10
¥635.9301
6359.301
25
¥614.72
15368
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
780 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF100R12KS4HOSA1 SP000100705
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF100R12KS4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:80845
晶体管
MOSFET 1.8V-rated PFET w/Vgs pull-up
1:¥4.2262
10:¥4.2149
25:¥3.5595
100:¥3.2431
3,000:¥3.2431
参考库存:26367
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥56.9407
10:¥50.8726
100:¥41.7196
250:¥37.4256
参考库存:4484
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:37651
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
2,000:¥0.7458
参考库存:36868
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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