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晶体管
TSM10N80CI C0G参考图片

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TSM10N80CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V 10A N Channel Power Mosfet
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数量单价合计
1
¥28.4308
28.4308
10
¥25.4363
254.363
25
¥22.8938
572.345
100
¥20.8259
2082.59
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6.3 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
62 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
256 ns
典型接通延迟时间
63 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCV47,235
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1:¥5,144.9804
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  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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