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晶体管
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VND5N07-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET
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数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
70 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
VND5N07-E
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
1100 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
400 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3900 ns
典型接通延迟时间
150 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，VND5N07-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF152
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥566.0057
2:¥554.8639
5:¥548.7958
10:¥531.5746
参考库存:1933
FMMTA14TA
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:28705
XF1001-SC-EV1
MACOM
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module
1:¥4,322.25
参考库存:1882
TP0620N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 200V 12Ohm
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6106
100:¥7.8422
参考库存:8004
2N6038
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:9051

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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