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晶体管
BSB015N04NX3 G参考图片

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BSB015N04NX3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
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库存:26,952(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.0576
22.0576
10
¥18.7467
187.467
100
¥16.2155
1621.55
250
¥15.4471
3861.775
5,000
¥10.6785
53392.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDSON-2-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7.6 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB15N4NX3GXT SP000597852
商品其它信息
优势价格,BSB015N04NX3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.9775
参考库存:31790
晶体管
达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power NPN
1:¥6.7574
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8985
参考库存:24147
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 600A 6500V
1:¥18,649.5313
参考库存:3254
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise Matched Dual NPN
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥43.7988
50:¥41.1885
参考库存:4486
晶体管
MOSFET FET 40V 20.0 MOHM MLP
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:25703
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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