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晶体管
IRG4PH30KPBF参考图片

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IRG4PH30KPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
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库存:2,453(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.8884
27.8884
10
¥23.7413
237.413
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.5151
4878.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540542
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PH30KPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:52361
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 5.0Vds 10mA 4.0Vgs
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:52366
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:52371
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥500.5335
参考库存:52376
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB
10:¥726.138
30:¥643.1508
50:¥580.9104
100:¥560.1636
参考库存:52381
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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