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晶体管
STP265N6F6AG参考图片

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STP265N6F6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
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库存:6,106(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.6622
23.6622
10
¥20.1366
201.366
100
¥17.4472
1744.72
250
¥16.5997
4149.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
183 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP265N6F6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
144 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP265N6F6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
1:¥40.567
10:¥32.657
100:¥29.7416
250:¥26.8149
2,500:¥19.2891
参考库存:3621
晶体管
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
1:¥55.7881
10:¥49.7878
100:¥40.8043
250:¥37.5725
3,000:¥25.6623
参考库存:18618
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
1:¥22.7469
10:¥19.3682
100:¥16.7466
250:¥15.9104
2,500:¥11.4469
5,000:查看
参考库存:16110
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 107 mo FET
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1244
1,000:¥1.6498
1,500:¥1.6498
参考库存:39877
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:8709
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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