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晶体管
2N5210TFR参考图片

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2N5210TFR

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
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数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.13
11.3
100
¥0.47686
47.686
1,000
¥0.32318
323.18
2,000
¥0.25312
506.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.5 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5210
直流电流增益 hFE 最大值
600
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Cut Tape
封装
Reel
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格,2N5210TFR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V TR
1:¥8.6106
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9607
1,000:¥3.9098
1,500:¥3.4691
参考库存:17614
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:9476
晶体管
IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
1:¥11.0627
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥6.0003
1,000:¥4.8816
2,500:¥4.8703
参考库存:55153
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
4,000:¥3.1753
参考库存:27745
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0794
500:¥5.3675
1,000:¥4.2375
4,000:¥4.2375
参考库存:22612
  • 海量现货

    50万现货SKU

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