BCR 133 E6433详细参数_参考价格_BCR 133 E6433 PDF资料_Infineon Technologies

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
最大工作频率	130 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCR133
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
发射极 - 基极电压 VEBO	50 V
高度	1 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR133E6433HTMA1 BCR133E6433XT SP000010759
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NTMFD4C50NT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET SO8FL 30V	1:¥12.6786 10:¥10.7576 100:¥8.6106 500:¥7.5371 1,000:¥6.2376 1,500:¥5.8195	参考库存:27814
ADTA114EUAQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor	1:¥1.5368 10:¥1.4238 100:¥0.49946 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:67411
BSC0501NSIATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LV POWER MOS	1:¥10.3734 10:¥8.8366 100:¥6.8365 500:¥6.0342 5,000:¥4.2262 10,000:查看	参考库存:8078
NVMFS6B05NT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET SO8FL 100V 104A	1,500:¥15.4471 4,500:¥14.9047	参考库存:27823
DMN2055U-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K	1:¥3.616 10:¥2.3843 100:¥1.02152 1,000:¥0.78422 3,000:¥0.5989	参考库存:27828