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晶体管
FDMD8560L参考图片

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FDMD8560L

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数量单价合计
1
¥24.5097
24.5097
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.1308
4282.7
3,000
¥12.2944
36883.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power 5 x 6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms, 5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
92 nC, 92 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMD8560L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
98 S, 98 S
下降时间
11 ns, 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns, 57 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 20 ns
单位重量
94.850 mg
商品其它信息
优势价格,FDMD8560L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.07576
参考库存:46088
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:22840
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW
1:¥23.5153
10:¥18.9049
100:¥15.5262
500:¥13.9894
参考库存:6337
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0964
500:¥6.2602
2,500:¥4.3844
10,000:查看
参考库存:11889
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥33.9678
10:¥28.8941
100:¥25.0521
250:¥23.7413
参考库存:6096
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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