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晶体管
BSC028N06LS3 G参考图片

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BSC028N06LS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:80,392(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
1,000
¥9.4468
9446.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
175 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
BSC028N06LS3GATMA1 BSC28N6LS3GXT SP000453652
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC028N06LS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
参考库存:3788
晶体管
MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:14945
晶体管
IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
1:¥46.9515
10:¥42.4202
25:¥40.4992
100:¥35.1204
参考库存:6012
晶体管
MOSFET PCH 0.9V DRIVE SERIES
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3108
9,000:¥1.2995
参考库存:89824
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥17.515
10:¥14.5996
100:¥11.30
500:¥9.9101
800:¥8.2264
参考库存:5411
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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