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晶体管
IPI70R950CEXKSA1参考图片

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IPI70R950CEXKSA1

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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3901
53.901
100
¥4.1471
414.71
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8928
2892.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
7.4 A
Rds On-漏源导通电阻
860 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15.3 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
6.6 ns
零件号别名
IPI70R950CE SP001374896
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI70R950CEXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:44247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:44252
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor
2,000:¥3.2318
参考库存:44257
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 10K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:44262
晶体管
达林顿晶体管 High V Darlington
875:¥4.1923
1,000:¥3.3109
2,500:¥2.938
10,000:¥2.825
参考库存:44267
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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