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晶体管
SISA10DN-T1-GE3参考图片

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SISA10DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:4,464(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.6444
66.444
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.3844
2192.2
3,000
¥4.3844
13153.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SISA10DN-GE3
商品其它信息
优势价格,SISA10DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.3789
10:¥6.0342
100:¥4.633
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:29447
晶体管
MOSFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1811
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
2,500:¥4.3053
参考库存:14184
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
50:¥394.4152
100:¥348.4694
250:¥324.1066
参考库存:1631
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥14.1363
10:¥12.7577
100:¥10.1474
500:¥7.91
2,000:¥5.9777
4,000:查看
参考库存:11383
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥46.5673
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.5779
500:¥29.1992
参考库存:2585
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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