SIR800ADP-T1-GE3详细参数_参考价格_SIR800ADP-T1-GE3 PDF资料_Vishay / Siliconix

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK-SO-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Id-连续漏极电流	177 A
Rds On-漏源导通电阻	1.35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	600 mV
Vgs - 栅极-源极电压	12 V, - 8 V
Qg-栅极电荷	53 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	62.5 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	TrenchFET, PowerPAK
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	SIR
晶体管类型	1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	60 S
下降时间	10 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	13 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	20 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DDTC113TUA-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW	1:¥1.8419 10:¥1.243 100:¥0.52206 1,000:¥0.35369 3,000:¥0.27685	参考库存:63097
APT1201R2BFLLG	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power FREDFET - MOS7	1:¥283.0763 5:¥272.0136 10:¥261.7984 25:¥240.5883	参考库存:4209
SI1013CX-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-3	1:¥4.2262 10:¥2.3843 100:¥1.2882 500:¥1.02152 3,000:¥0.66105 6,000:查看	参考库存:25001
BC69-25PASX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A PNP Medium Power Transistors	1:¥3.5369 10:¥2.486 100:¥1.1413 1,000:¥0.87575 3,000:¥0.7458	参考库存:15603
DMN1033UCB4-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A	1:¥5.1528 10:¥4.2827 100:¥2.7685 1,000:¥2.2148 3,000:¥2.2148	参考库存:15730