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晶体管
IRG4PC30FDPBF参考图片

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IRG4PC30FDPBF

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库存:7,458(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
10
¥29.1992
291.992
100
¥25.3572
2535.72
250
¥24.0464
6011.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
31 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001541864
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PC30FDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
参考库存:5738
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥9.0626
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
2,500:¥4.972
参考库存:14260
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:32392
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
2,000:¥0.60681
参考库存:16469
晶体管
MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2771
1,000:¥4.1697
参考库存:1571
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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