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晶体管
IRG4PH40UD2-EP参考图片

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IRG4PH40UD2-EP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
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库存:6,650(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.4826
47.4826
10
¥42.8722
428.722
25
¥40.8834
1022.085
100
¥35.5046
3550.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.43 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
41 A
高度
20.8 mm
长度
16.1 mm
宽度
5.5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533572
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PH40UD2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V N-Channel QFET
1:¥40.567
10:¥34.4989
100:¥29.8885
250:¥28.3517
参考库存:4942
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:17334
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
1,500:¥3.9211
参考库存:94981
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.6103
10:¥1.695
100:¥0.72998
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.42262
参考库存:116348
晶体管
MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:124745
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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    科技智能大仓储

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