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晶体管
BSZ0910NDXTMA1参考图片

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BSZ0910NDXTMA1

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库存:3,609(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.9891
79.891
100
¥6.1472
614.72
500
¥5.4353
2717.65
5,000
¥3.8081
19040.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-WISON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
9.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.5 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
零件号别名
BSZ0910ND SP001699886
商品其它信息
优势价格,BSZ0910NDXTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥8.2264
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,500:¥3.3222
9,000:查看
参考库存:90137
晶体管
MOSFET BSS Family
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
2,500:¥0.82264
10,000:¥0.7684
参考库存:57139
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 10K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:507641
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7009
500:¥5.9212
2,500:¥4.1471
10,000:查看
参考库存:28051
晶体管
MOSFET 30V 46A 6.2 mOhm Single N-Chan u8FL
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8591
5,000:¥5.1076
10,000:查看
参考库存:28056
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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