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晶体管
CSD25480F3T参考图片

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CSD25480F3T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET -20V P-channel FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.99101
99.101
250
¥0.99101
247.7525
1,000
¥0.76049
760.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.7 A
Rds On-漏源导通电阻
840 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
700 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PicoStar
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
0.73 mm
系列
CSD25480F3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
8 S
开发套件
-
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
0.300 mg
商品其它信息
优势价格,CSD25480F3T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA HFE/250
1:¥2.3843
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
参考库存:87443
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:178675
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥0.92208
10:¥0.80682
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:73297
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo
1:¥2.8476
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
2,500:¥0.7458
10,000:¥0.69947
参考库存:12404
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,000:¥1.6159
参考库存:17116
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    50万现货SKU

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