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晶体管
DMN1004UFV-7参考图片

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DMN1004UFV-7

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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.4013
34.013
100
¥2.0792
207.92
1,000
¥1.6046
1604.6
2,000
¥1.3673
2734.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.6 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
商品其它信息
优势价格,DMN1004UFV-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL
1:¥5.6048
10:¥4.6782
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
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双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
2,500:¥0.24634
8,000:¥0.2147
参考库存:79063
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1:¥0.92208
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:2362060
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IGBT 晶体管 HOME APPLIANCES 14
1:¥48.8725
10:¥44.183
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100:¥36.5781
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1:¥5.2206
10:¥3.9889
100:¥2.9606
500:¥2.4295
3,000:¥1.7176
6,000:查看
参考库存:100099
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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