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晶体管
STGW39NC60VD参考图片

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STGW39NC60VD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
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数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V/1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW39NC60VD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW39NC60VD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 300V N-Channel QFET
1:¥20.2044
10:¥17.1308
100:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9101
参考库存:8850
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:4447
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,386.1145
2:¥1,352.7682
5:¥1,333.0158
10:¥1,314.1222
参考库存:3694
晶体管
MOSFET 40V 3Ohm
1:¥4.5313
10:¥4.52
25:¥3.7177
100:¥3.4013
参考库存:26061
晶体管
MOSFET PFET 20V 3.2A 85MO
1:¥4.068
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:44713
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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