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晶体管
STGWT80H65DFB参考图片

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STGWT80H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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数量单价合计
1
¥54.7824
54.7824
10
¥49.5618
495.618
25
¥47.2566
1181.415
100
¥41.0303
4103.03
250
¥39.1884
9797.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80H65DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT80H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:4444
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4467
500:¥6.5766
1,000:¥5.198
参考库存:13361
晶体管
JFET JFET P-CH 30V 0.8mA
1:¥2.6894
10:¥2.3956
25:¥2.1696
100:¥1.8984
3,000:¥1.02943
6,000:查看
参考库存:396528
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥473.0293
5:¥458.7348
10:¥445.2878
25:¥417.4672
参考库存:4320
晶体管
MOSFET 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9721
4,000:¥5.1867
8,000:查看
参考库存:43417
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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