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晶体管
STF27N60M2-EP参考图片

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STF27N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
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库存:7,617(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
163 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STF27N60M2-EP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55.6 ns
典型接通延迟时间
13.4 ns
商品其它信息
优势价格,STF27N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:160492
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥92.9764
10:¥85.5184
25:¥81.9928
100:¥72.2296
参考库存:2434
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
参考库存:12451
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
5,000:¥8.2942
参考库存:37398
晶体管
MOSFET
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.1419
2,500:¥10.1474
5,000:查看
参考库存:19595
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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