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晶体管
SI2300DS-T1-GE3参考图片

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SI2300DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 12V Vgs SOT-23
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库存:178,078(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.8645
186.45
500
¥1.5255
762.75
1,000
¥1.1865
1186.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
68 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI2300DS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2300DS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:18440
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:23850
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
5,000:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:23855
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA NPN/NPN gen purpose trans
暂无价格
参考库存:23860
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K
2,500:¥2.9493
参考库存:23865
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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