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晶体管
STP18N60M2参考图片

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STP18N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
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库存:7,161(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9158
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
255 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STP18N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP18N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥35.8888
10:¥28.815
25:¥28.3517
100:¥26.2838
参考库存:24507
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PolarPAK
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
3,000:¥9.831
6,000:查看
参考库存:19104
晶体管
MOSFET AUTO 24V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms
1:¥30.8942
10:¥26.2838
100:¥22.826
250:¥21.5943
参考库存:24514
晶体管
MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:19111
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥148.0752
5:¥142.2331
10:¥136.9334
25:¥125.7916
参考库存:24521
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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