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产品分类

晶体管
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TIP41C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.068
40.68
100
¥2.6216
262.16
1,000
¥2.1018
2101.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
6 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TIP41C
直流电流增益 hFE 最大值
75
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
65 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TIP41C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:3847
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥84.9082
10:¥76.7609
25:¥73.1562
100:¥63.5512
参考库存:6414
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5207
参考库存:5171
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.2997
10:¥4.2149
100:¥3.1979
500:¥2.6329
1,000:¥2.1131
3,000:¥1.9097
参考库存:270293
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥97.0444
10:¥88.2078
25:¥81.6086
50:¥77.1451
参考库存:6115
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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