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晶体管
AUIRFR1010Z参考图片

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AUIRFR1010Z

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
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库存:3,102(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.9104
15.9104
10
¥13.5261
135.261
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.4468
4723.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
91 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001521238
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,AUIRFR1010Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥4.2375
参考库存:42012
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,019.9719
参考库存:42017
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,400.5607
参考库存:42022
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:42027
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥1,535.4892
25:¥1,514.4373
50:¥1,410.6242
参考库存:42032
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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