DF11MR12W1M1B11BOMA1详细参数_参考价格_DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF资料_Infineon Technologies

分立半导体模块

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power MOSFET Modules
类型	SiC Power MOSFET
Vf - 正向电压	4 V
Vgs - 栅极-源极电压	- 10 V, 20 V
安装风格	Press Fit
封装 / 箱体	Easy1B-2
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tray
配置	Dual
商标	Infineon Technologies
晶体管极性	N-Channel
下降时间	12 ns
Id-连续漏极电流	50 A
工作电源电压	-
Pd-功率耗散	20 mW
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻	23 mOhms
上升时间	9.6 ns
工厂包装数量	24
子类别	Discrete Semiconductor Modules
商标名	CoolSIC
典型关闭延迟时间	43.5 ns
典型接通延迟时间	10 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	3.5 V
零件号别名	DF11MR12W1M1_B11 SP001602238

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PS-RDN20	Altech	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 21-28VDC 0-20A REDUNDANCY BUFFER	1:¥593.8941 10:¥494.3072 50:¥451.661 100:¥444.5194	参考库存:3644
TT500N14KOF	Infineon Technologies	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 1400V 900A DUAL	1:¥1,773.2412 5:¥1,730.595 10:¥1,687.5646 25:¥1,663.8911	参考库存:3646
APTM10DAM02G	Microsemi	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 Power Module - Mosfet	100:¥955.2794	参考库存:50828
MG020200	Shindengen	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 Power Module	1:¥142.3122 5:¥133.5434 10:¥115.7233 25:¥112.7288	参考库存:3703
T483F	Crydom	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 35A BRIDG RECT MOD	1:¥431.0724 10:¥410.5516 25:¥401.263 50:¥391.884	参考库存:3690